maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6146US
Référence fabricant | 1N6146US |
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Numéro de pièce future | FT-1N6146US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6146US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 11.4V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 13.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 21.9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 68.5A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6146US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6146US-FT |
1N6111AUS
Semtech Corporation
1N6111US
Semtech Corporation
1N6112
Semtech Corporation
1N6112AUS
Semtech Corporation
1N6112US
Semtech Corporation
1N6113
Semtech Corporation
1N6113AUS
Semtech Corporation
1N6113US
Semtech Corporation
1N6114
Semtech Corporation
1N6114A
Semtech Corporation
XC7A35T-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
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5SGXEA7K3F35C2LN
Intel
A1020B-2PL44C
Microsemi Corporation
XC4VLX25-10SFG363C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8N
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EP1S80F1020C7N
Intel