maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6135US
Référence fabricant | 1N6135US |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N6135US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
1N6135US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6135US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6135US-FT |
1N5638
Microsemi Corporation
1N5638A
Microsemi Corporation
1N5639
Microsemi Corporation
1N5639A
Microsemi Corporation
1N5640
Microsemi Corporation
1N5640A
Microsemi Corporation
1N5641
Microsemi Corporation
1N5641A
Microsemi Corporation
1N5642
Microsemi Corporation
1N5642A
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
MPF200T-1FCG484E
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
M1A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation