maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6135US
Référence fabricant | 1N6135US |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N6135US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
1N6135US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6135US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6135US-FT |
1N5638
Microsemi Corporation
1N5638A
Microsemi Corporation
1N5639
Microsemi Corporation
1N5639A
Microsemi Corporation
1N5640
Microsemi Corporation
1N5640A
Microsemi Corporation
1N5641
Microsemi Corporation
1N5641A
Microsemi Corporation
1N5642
Microsemi Corporation
1N5642A
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
EP4CE22F17C9L
Intel
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
M1A3P1000-1FGG144M
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EPF10K10AQC208-3N
Intel