maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6123AUS
Référence fabricant | 1N6123AUS |
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Numéro de pièce future | FT-1N6123AUS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6123AUS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 38.8V |
Tension - Panne (Min) | 48.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 70.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 7.1A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6123AUS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6123AUS-FT |
JAN1N6153A
Microsemi Corporation
JAN1N6154A
Microsemi Corporation
JAN1N6155A
Microsemi Corporation
JAN1N6156A
Microsemi Corporation
JAN1N6157A
Microsemi Corporation
JAN1N6158A
Microsemi Corporation
JAN1N6159A
Microsemi Corporation
JAN1N6160A
Microsemi Corporation
JAN1N6162A
Microsemi Corporation
JAN1N6163A
Microsemi Corporation
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC4013E-4PQ208I
Xilinx Inc.
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR3H43C2L
Intel
XC7A200T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel