maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6119US
Référence fabricant | 1N6119US |
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Numéro de pièce future | FT-1N6119US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
1N6119US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | - |
Tension - Panne (Min) | - |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | - |
Puissance - Peak Pulse | - |
Protection de ligne électrique | - |
Applications | - |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6119US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6119US-FT |
1N5629
Microsemi Corporation
1N5629A
Microsemi Corporation
1N5630
Microsemi Corporation
1N5630A
Microsemi Corporation
1N5631
Microsemi Corporation
1N5632
Microsemi Corporation
1N5632A
Microsemi Corporation
1N5633
Microsemi Corporation
1N5633A
Microsemi Corporation
1N5634
Microsemi Corporation
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
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10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel