maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N6079US
Référence fabricant | 1N6079US |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N6079US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6079US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 37.7A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, G |
Package d'appareils du fournisseur | G-MELF (D-5C) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 155°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6079US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6079US-FT |
1N4245GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4248GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4248GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4254
Microsemi Corporation
1N4255
Microsemi Corporation
1N4256
Microsemi Corporation
1N4305-1
Microsemi Corporation
1N4305-1E3
Microsemi Corporation
1N4446 BK
Central Semiconductor Corp
1N4448 BK
Central Semiconductor Corp
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel