maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6070
Référence fabricant | 1N6070 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6070 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6070 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 155V |
Tension - Panne (Min) | 171V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 292V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 5.1A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-13 |
Package d'appareils du fournisseur | DO-13 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6070 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6070-FT |
1.5SMC540AHM3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5SMC540AHM3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5558
Microsemi Corporation
1N5629
Microsemi Corporation
1N5629A
Microsemi Corporation
1N5630
Microsemi Corporation
1N5630A
Microsemi Corporation
1N5631
Microsemi Corporation
1N5632
Microsemi Corporation
1N5632A
Microsemi Corporation
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation