maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / 1N6000B TR
Référence fabricant | 1N6000B TR |
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Numéro de pièce future | FT-1N6000B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6000B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 8V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 100mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6000B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6000B TR-FT |
1N5918A
Microsemi Corporation
1N5918B
Microsemi Corporation
1N5920B
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1N5920C
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1N5921B
Microsemi Corporation
1N5922B
Microsemi Corporation
1N5925B
Microsemi Corporation
1N5925D
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1N5929A
Microsemi Corporation
1N5929B
Microsemi Corporation
A3PN020-1QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
EP4S100G3F45I2N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760I
Xilinx Inc.
XC5VLX330T-2FF1738C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676T2
Microsemi Corporation
5AGXBB5D4F35C4N
Intel
EPF10K50SQC208-1X
Intel