maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N5907
Référence fabricant | 1N5907 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5907 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5907 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5V |
Tension - Panne (Min) | 6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 8.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 120A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-13 |
Package d'appareils du fournisseur | DO-13 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5907 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5907-FT |
MXRT100KP150AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP150CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP150CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP160A
Microsemi Corporation
MXRT100KP160AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP160CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP160CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP170A
Microsemi Corporation
MXRT100KP170AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP170CA
Microsemi Corporation
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-5FT256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN250-ZVQG100
Microsemi Corporation
5CEFA9F27C8N
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
10AX022E3F29E2SG
Intel
EP4CE10E22C8LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7A200T-2FF1156I
Xilinx Inc.