maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5832R
Référence fabricant | 1N5832R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N5832R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5832R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 40A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 520mV @ 40A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20mA @ 10V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5832R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5832R-FT |
SD453N16S30PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SDUR2060W
SMC Diode Solutions
SRAS2040 RNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SMBD1122LT3G
ON Semiconductor
150K100A
GeneSiC Semiconductor
150K20A
GeneSiC Semiconductor
150K40A
GeneSiC Semiconductor
150K60A
GeneSiC Semiconductor
150K80A
GeneSiC Semiconductor
150KR100A
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel