Référence fabricant | 1N5830 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N5830 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5830 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 25V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 580mV @ 25A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-4 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5830 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5830-FT |
RL105TA
SMC Diode Solutions
RL106FTA
SMC Diode Solutions
RL106TA
SMC Diode Solutions
RL107FTA
SMC Diode Solutions
RL107TA
SMC Diode Solutions
SD453N16S30PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SDUR2060W
SMC Diode Solutions
SRAS2040 RNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SMBD1122LT3G
ON Semiconductor
150K100A
GeneSiC Semiconductor
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel