maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5822-B
Référence fabricant | 1N5822-B |
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Numéro de pièce future | FT-1N5822-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5822-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 525mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2mA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5822-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5822-B-FT |
LLSD101B-7
Diodes Incorporated
LLSD101C-13
Diodes Incorporated
LLSD101C-7
Diodes Incorporated
LLSD103A-13
Diodes Incorporated
LLSD103A-7
Diodes Incorporated
LLSD103B-13
Diodes Incorporated
LLSD103C-13
Diodes Incorporated
LLSD103C-7
Diodes Incorporated
DL4004-13-F
Diodes Incorporated
DL4007-13-F
Diodes Incorporated
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel