maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5819HW1-7-F
Référence fabricant | 1N5819HW1-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-1N5819HW1-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SBR® |
1N5819HW1-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Super Barrier |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 510mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 15ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | 30pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123F |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123F |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5819HW1-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5819HW1-7-F-FT |
BAS21T-7
Diodes Incorporated
BAS40T-7
Diodes Incorporated
BAT54T-7
Diodes Incorporated
MMBD4448HT-7
Diodes Incorporated
SDM10P45-7
Diodes Incorporated
SDM10P45-7-F
Diodes Incorporated
SDMP0340LT-7
Diodes Incorporated
ZLLS2000TA
Diodes Incorporated
ZLLS2000TC
Diodes Incorporated
BAT54TA
Diodes Incorporated
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel