maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5818 R0G
Référence fabricant | 1N5818 R0G |
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Numéro de pièce future | FT-1N5818 R0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5818 R0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5818 R0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5818 R0G-FT |
UF1BHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1BHR1G
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UF1D A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1D B0G
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UF1D R1G
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UF1DHA0G
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UF1DHB0G
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UF1DHR1G
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UF1G A0G
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UF1G B0G
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LCMXO2-4000ZE-3TG144C
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XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
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EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
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LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel