maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5817-B
Référence fabricant | 1N5817-B |
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Numéro de pièce future | FT-1N5817-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5817-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-41 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5817-B-FT |
HER301-T
Diodes Incorporated
HER302-T
Diodes Incorporated
HER303-T
Diodes Incorporated
HER304-T
Diodes Incorporated
HER305-T
Diodes Incorporated
PR3001-T
Diodes Incorporated
PR3001G-T
Diodes Incorporated
PR3002-T
Diodes Incorporated
PR3002G-T
Diodes Incorporated
PR3003-T
Diodes Incorporated
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel