maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5812R
Référence fabricant | 1N5812R |
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Numéro de pièce future | FT-1N5812R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
1N5812R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5812R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5812R-FT |
1N4005GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005GPE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4005GR0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G BK
Central Semiconductor Corp
1N4006GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GPE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4006GPE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4006GR0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007 BK
Central Semiconductor Corp
1N4148-1/TR
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel