maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5807US
Référence fabricant | 1N5807US |
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Numéro de pièce future | FT-1N5807US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5807US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5807US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5807US-FT |
VS-MURB820-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820TRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820TRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C22C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C22L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C28J
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C32J
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation