maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N5643A
Référence fabricant | 1N5643A |
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Numéro de pièce future | FT-1N5643A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5643A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 23.1V |
Tension - Panne (Min) | 25.7V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 37.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 40A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-13 |
Package d'appareils du fournisseur | DO-13 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5643A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5643A-FT |
1.5KA12AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA12HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA13AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA13HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA13HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA13HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA15AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA15HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA16AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1.5KA16HE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel