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Référence fabricant | 1N5626-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-1N5626-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5626-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 7.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-64, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-64 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5626-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5626-TAP-FT |
BAS285-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS286-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS286-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV200-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV200-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV201-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV201-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV202-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV203-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV203-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
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LFE2-6SE-6FN256I
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Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
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Intel