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Microsemi Corporation 1N5618US
- Numéro de pièce MFG
- 1N5618US
- quantité disponible
- 38590 Pièces
- Prix de référence
- USD 8.04
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Microsemi Corporation
- Brève description
- - DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Diodes - Redresseurs - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- 1N5618US.pdf
1N5618US Caractéristiques
| Référence fabricant | 1N5618US |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-1N5618US |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| 1N5618US Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
| Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
| Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 3A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 600V |
| Capacité @ Vr, F | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | SQ-MELF, A |
| Package d'appareils du fournisseur | D-5A |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 200°C |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 1N5618US Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | 1N5618US-FT |
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