maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5617E3
Référence fabricant | 1N5617E3 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5617E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5617E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 35pF @ 12V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | A, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | A, Axial |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5617E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5617E3-FT |
GSXD300A170S2D5
Global Power Technologies Group
HS1D-13
Diodes Incorporated
JAN1N3595A-1
Microsemi Corporation
JAN1N3595UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N3646
Microsemi Corporation
JAN1N4944
Microsemi Corporation
JAN1N5187
Microsemi Corporation
JAN1N5188
Microsemi Corporation
JAN1N5190
Microsemi Corporation
JAN1N5415
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG484A
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SEEBF45I3LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7S15-2CSGA225I
Xilinx Inc.
XA7S50-1CSGA324I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation