maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5615US/TR
Référence fabricant | 1N5615US/TR |
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Numéro de pièce future | FT-1N5615US/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5615US/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 45pF @ 12V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, A |
Package d'appareils du fournisseur | D-5A |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5615US/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5615US/TR-FT |
1N4004G BK
Central Semiconductor Corp
1N4004GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GPE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4004GR0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004SP AP-RPCU
Central Semiconductor Corp
1N4004SP TR-RPCU
Central Semiconductor Corp
1N4005 BK
Central Semiconductor Corp
1N4005 TR
Central Semiconductor Corp
1N4005G BK
Central Semiconductor Corp
1N4005GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel