maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5614US
Référence fabricant | 1N5614US |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N5614US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5614US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, A |
Package d'appareils du fournisseur | D-5A |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 200°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5614US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5614US-FT |
1N6760
Microsemi Corporation
DSB1A100
Microsemi Corporation
DSB1A20
Microsemi Corporation
DSB1A30
Microsemi Corporation
DSB1A40
Microsemi Corporation
DSB1A50
Microsemi Corporation
DSB1A60
Microsemi Corporation
DSB1A80
Microsemi Corporation
DSB5818
Microsemi Corporation
DSB5820
Microsemi Corporation
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel