Référence fabricant | 1N5554 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5554 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5554 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 9A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5554 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5554-FT |
DSB1A100
Microsemi Corporation
DSB1A20
Microsemi Corporation
DSB1A30
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DSB1A40
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DSB1A50
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DSB1A60
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DSB1A80
Microsemi Corporation
DSB5818
Microsemi Corporation
DSB5820
Microsemi Corporation
DSB5821
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
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XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel