maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5419US
Référence fabricant | 1N5419US |
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Numéro de pièce future | FT-1N5419US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5419US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 9A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 500V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | E-MELF |
Package d'appareils du fournisseur | D-5B |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5419US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5419US-FT |
GP2D015A120A
Global Power Technologies Group
GP2D024A060B
Global Power Technologies Group
GP2D036A060B
Global Power Technologies Group
GSXD300A170S2D5
Global Power Technologies Group
HS1D-13
Diodes Incorporated
JAN1N3595A-1
Microsemi Corporation
JAN1N3595UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N3646
Microsemi Corporation
JAN1N4944
Microsemi Corporation
JAN1N5187
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
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EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel