maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5418US
Référence fabricant | 1N5418US |
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Numéro de pièce future | FT-1N5418US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5418US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 9A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | E-MELF |
Package d'appareils du fournisseur | D-5B |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5418US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5418US-FT |
MS104E3/TR12
Microsemi Corporation
MS104E3/TR8
Microsemi Corporation
MS105/TR12
Microsemi Corporation
MS105/TR8
Microsemi Corporation
MS105E3/TR12
Microsemi Corporation
MS105E3/TR8
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MS106/TR12
Microsemi Corporation
MS106/TR8
Microsemi Corporation
MS106E3/TR12
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MS106E3/TR8
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XC3042A-7PQ100C
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M2GL050-FCSG325
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M2GL010TS-1VFG256T2
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5SGXEA5K2F40C2N
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10AX027H3F34E2SG
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Xilinx Inc.
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LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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EP2AGX95EF35C6ES
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