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Référence fabricant | 1N5407G B0G |
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Numéro de pièce future | FT-1N5407G B0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5407G B0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5407G B0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5407G B0G-FT |
SF63G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF63GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF66G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF66GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF67G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF67GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel