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Référence fabricant | 1N5406G B0G |
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Numéro de pièce future | FT-1N5406G B0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5406G B0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5406G B0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5406G B0G-FT |
SF61GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF62G R0G
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SF62GHR0G
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SF63G R0G
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SF63GHR0G
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SF64G R0G
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SF64GHR0G
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SF65G R0G
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SF65GHR0G
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SF66G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-1VQG80I
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M2GL005-VFG256
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ICE65L01F-TVQ100C
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AT40K10-2DQU
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5SGSMD6N2F45I2LN
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EP3SE260F1152I4L
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XC4VLX60-11FFG1148C
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LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel