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Référence fabricant | 1N5406G A0G |
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Numéro de pièce future | FT-1N5406G A0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5406G A0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5406G A0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5406G A0G-FT |
SR206HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR209HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR210 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR210HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR210HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR215 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR215HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR215HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
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5SGXEB5R2F40C2L
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5SGXMA5H1F35I2N
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EP4SE360F35I3N
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XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel