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Référence fabricant | 1N5402G B0G |
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Numéro de pièce future | FT-1N5402G B0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5402G B0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5402G B0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5402G B0G-FT |
SF46G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF46GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF47G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF47GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF48G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF48GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF61G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF61GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF62G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF62GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
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A3P1000-PQ208I
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5SGXMB5R2F40C2N
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5SGXEA4K1F35I2N
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LFEC10E-3QN208C
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LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel