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Référence fabricant | 1N5402G B0G |
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Numéro de pièce future | FT-1N5402G B0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5402G B0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5402G B0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5402G B0G-FT |
SF46G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF46GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF47G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF47GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF48G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF48GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF61G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF61GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF62G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF62GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
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XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel