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Référence fabricant | 1N5400GHB0G |
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Numéro de pièce future | FT-1N5400GHB0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
1N5400GHB0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5400GHB0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5400GHB0G-FT |
SF43G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF43GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF44G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF44GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF45G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF45GHR0G
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SF46G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF46GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF47G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF47GHR0G
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A54SX16P-2TQG144I
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Xilinx Inc.
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LFEC20E-3FN672I
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