maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / 1N5357/TR12
Référence fabricant | 1N5357/TR12 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5357/TR12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5357/TR12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 20V |
Tolérance | ±20% |
Puissance - Max | 5W |
Impédance (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 14.4V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 1A |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | T-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5357/TR12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5357/TR12-FT |
1N5351E3/TR13
Microsemi Corporation
1N5351E3/TR8
Microsemi Corporation
1N5352/TR12
Microsemi Corporation
1N5352/TR8
Microsemi Corporation
1N5352A/TR12
Microsemi Corporation
1N5352A/TR8
Microsemi Corporation
1N5352AE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5352AE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5352AE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5352B/TR8
Microsemi Corporation
XC7A35T-1FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
EP4S100G5H40I2
Intel
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D4F31I5N
Intel