maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / 1N5340BE3/TR12
Référence fabricant | 1N5340BE3/TR12 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5340BE3/TR12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5340BE3/TR12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 5W |
Impédance (Max) (Zzt) | 1 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 1A |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | T-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5340BE3/TR12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5340BE3/TR12-FT |
BZS55C20 RXG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZS55C22 RXG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZS55C24 RXG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZS55C27 RXG
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BZS55C2V4 RXG
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BZS55C2V7 RXG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZS55C30 RXG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZS55C33 RXG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZS55C36 RXG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZS55C3V0 RXG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A100T-1FGG484C
Xilinx Inc.
5SGXEB6R3F40C4N
Intel
5SGSMD6N2F45I2LN
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AGL250V5-FGG144
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LCMXO640E-4B256I
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EP1S10F780I6N
Intel