maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / 1N4756A-TAP
Référence fabricant | 1N4756A-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-1N4756A-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
1N4756A-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 47V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 1.3W |
Impédance (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 35.8V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-41 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4756A-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N4756A-TAP-FT |
SMZJ3796AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3796AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3797A-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3797A-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3797AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3797AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3798A-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3798A-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3798AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3798AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4036XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
XC7S100-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG400
Microsemi Corporation
XA6SLX16-3CSG225Q
Xilinx Inc.
AGLP125V2-CSG289I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H1F35I2N
Intel