Référence fabricant | 1N4532 |
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Numéro de pièce future | FT-1N4532 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N4532 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 125mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 10mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AG, DO-34, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-34 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4532 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N4532-FT |
1N3913A
Microsemi Corporation
1N3913AR
Microsemi Corporation
1N3913R
Microsemi Corporation
1N3957GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N3957GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4001 BK
Central Semiconductor Corp
1N4001 TR
Central Semiconductor Corp
1N4001-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
1N4001-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
1N4001-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel