Référence fabricant | 1N4449 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N4449 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N4449 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 30mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25nA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4449 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N4449-FT |
JANTX1N4942
Microsemi Corporation
JANTX1N4245
Microsemi Corporation
JANTX1N3957
Microsemi Corporation
JANTX1N3891
Microsemi Corporation
JANTX1N3890
Microsemi Corporation
JANTX1N3644
Microsemi Corporation
JANTX1N3611
Microsemi Corporation
JANTX1N3289
Microsemi Corporation
JANTX1N3164
Microsemi Corporation
JANTX1N3070-1
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel