maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N4448HWT-7
Référence fabricant | 1N4448HWT-7 |
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Numéro de pièce future | FT-1N4448HWT-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N4448HWT-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 125mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | 3pF @ 0.5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-523 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448HWT-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N4448HWT-7-FT |
ZHCS2000TC
Diodes Incorporated
SBR130SV-7
Diodes Incorporated
SBR1U30SV-7
Diodes Incorporated
SDMP0340LT-7-F
Diodes Incorporated
BAT54T-7-F
Diodes Incorporated
BAS40T-7-F
Diodes Incorporated
BAS70T-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HT-7-F
Diodes Incorporated
BAS16T-7-F
Diodes Incorporated
BAS116T-7-F
Diodes Incorporated
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel