Référence fabricant | 1N4154 |
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Numéro de pièce future | FT-1N4154 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N4154 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 30mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 2ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 25V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4154 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N4154-FT |
JAN1N6631US
Microsemi Corporation
JANTX1N4946
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JANTX1N3289
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel