Référence fabricant | 1N4150 |
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Numéro de pièce future | FT-1N4150 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N4150 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N4150-FT |
IDV30E60C
Infineon Technologies
IDL02G65C5XUMA2
Infineon Technologies
IDL04G65C5XUMA2
Infineon Technologies
IDL06G65C5XUMA2
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IDL08G65C5XUMA2
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IDL10G65C5XUMA2
Infineon Technologies
IDL12G65C5XUMA2
Infineon Technologies
IDL02G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL04G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL06G65C5XUMA1
Infineon Technologies
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel