maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N4150W-E3-18
Référence fabricant | 1N4150W-E3-18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N4150W-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N4150W-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150W-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N4150W-E3-18-FT |
V30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ATS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ATS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation