maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N4150UR-1/TR
Référence fabricant | 1N4150UR-1/TR |
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Numéro de pièce future | FT-1N4150UR-1/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N4150UR-1/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AA |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150UR-1/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N4150UR-1/TR-FT |
1N3899R
Microsemi Corporation
1N3900
Microsemi Corporation
1N3900R
Microsemi Corporation
1N3901
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1N3903
Microsemi Corporation
1N3903R
Microsemi Corporation
1N3909
Microsemi Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
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A54SX08A-1PQG208I
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EP2S15F484C4
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EP4CE115F23C9L
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EP3SE80F1152C3
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XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel