maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N3767R
Référence fabricant | 1N3767R |
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Numéro de pièce future | FT-1N3767R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N3767R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 900V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 35A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 190°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3767R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N3767R-FT |
1N6640
Microsemi Corporation
1N6641
Microsemi Corporation
1N6641US
Microsemi Corporation
1N6642
Microsemi Corporation
1N6643
Microsemi Corporation
AIDW10S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW12S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW16S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW20S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW30S65C5XKSA1
Infineon Technologies
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
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5SGXEB5R2F40C2L
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5SGXMA5H1F35I2N
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EP4SE360F35I3N
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XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
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EPF10K130EQC240-2
Intel