Référence fabricant | 1N3272 |
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Numéro de pièce future | FT-1N3272 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N3272 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 900V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 160A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 12mA @ 900V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-205AB, DO-9, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-205AB, DO-9 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3272 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N3272-FT |
MBR20150CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20150FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20200FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2040CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2040FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2045FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2050CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2050FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2060CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2060FCTE3/TU
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel