maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / 1N3016B-1E3
Référence fabricant | 1N3016B-1E3 |
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Numéro de pièce future | FT-1N3016B-1E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N3016B-1E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 1W |
Impédance (Max) (Zzt) | 3.5 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 5.2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-41 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3016B-1E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N3016B-1E3-FT |
JANTXV1N972C-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N973C-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N973CUR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N973DUR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N974BUR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N974CUR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N974DUR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N975B-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N975C-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N975D-1
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XC7A100T-1FGG484C
Xilinx Inc.
5SGXEB6R3F40C4N
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AGL250V5-FGG144
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LFEC10E-5FN256C
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LCMXO640E-4B256I
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EP1S10F780I6N
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