Référence fabricant | 1N1184 |
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Numéro de pièce future | FT-1N1184 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N1184 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 35A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-5 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 190°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1184 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N1184-FT |
GAP05SLT80-220
GeneSiC Semiconductor
FR85GR02
GeneSiC Semiconductor
FR85G02
GeneSiC Semiconductor
FR70GR02
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FR70G02
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FR16K05
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
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EP4CGX22BF14C6N
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XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
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LFXP2-30E-5FTN256C
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LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
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