Référence fabricant | 1A2-TP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1A2-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1A2-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 40V |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | R-1 (Axial) |
Package d'appareils du fournisseur | R-1 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1A2-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1A2-TP-FT |
S40MR
GeneSiC Semiconductor
S40V
GeneSiC Semiconductor
S40VR
GeneSiC Semiconductor
S40Y
GeneSiC Semiconductor
S40YR
GeneSiC Semiconductor
S6B
GeneSiC Semiconductor
S6BR
GeneSiC Semiconductor
S6D
GeneSiC Semiconductor
S6DR
GeneSiC Semiconductor
S6G
GeneSiC Semiconductor
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel