maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs au tantale / 199D335X5010A1V1E3
Référence fabricant | 199D335X5010A1V1E3 |
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Numéro de pièce future | FT-199D335X5010A1V1E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TANTALEX®, 199D |
199D335X5010A1V1E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 3.3µF |
Tolérance | ±5% |
Tension - nominale | 10V |
Type | Conformal Coated |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Durée de vie @ Temp. | 1000 Hrs @ 85°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Taille / Dimension | 0.173" Dia (4.40mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.280" (7.11mm) |
Espacement des fils | 0.100" (2.54mm) |
Code de taille du fabricant | A |
Évaluations | - |
Caractéristiques | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
199D335X5010A1V1E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 199D335X5010A1V1E3-FT |
199D105X5035A1V1E3
Vishay Sprague
199D105X9016A1V1E3
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A40MX04-1VQG80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCU169I7G
Intel
EP3C25E144A7N
Intel
EP1AGX50DF1152I6N
Intel
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation