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Référence fabricant | 1812R-271H |
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Numéro de pièce future | FT-1812R-271H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1812R |
1812R-271H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 270nH |
Tolérance | ±3% |
Note actuelle | 668mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 450 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 300MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.190" (4.83mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1812R-271H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1812R-271H-FT |
1812R-104K
API Delevan Inc.
1812R-105F
API Delevan Inc.
1812R-105G
API Delevan Inc.
1812R-105H
API Delevan Inc.
1812R-105J
API Delevan Inc.
1812R-105K
API Delevan Inc.
1812R-120J
API Delevan Inc.
1812R-120K
API Delevan Inc.
1812R-120M
API Delevan Inc.
1812R-121F
API Delevan Inc.
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel