maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / 16CTQ200
Référence fabricant | 16CTQ200 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-16CTQ200 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
16CTQ200 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
16CTQ200 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 16CTQ200-FT |
SDT20120CT
Diodes Incorporated
SBR2040CT
Diodes Incorporated
SDT20100CT
Diodes Incorporated
SBR40U60CT
Diodes Incorporated
SBR20100CT
Diodes Incorporated
SBR40U120CT
Diodes Incorporated
SBR20E120CT
Diodes Incorporated
SBR3040CT
Diodes Incorporated
SBR4045CT
Diodes Incorporated
SDT30A120CT
Diodes Incorporated
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel