maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / 169CMQ150
Référence fabricant | 169CMQ150 |
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Numéro de pièce future | FT-169CMQ150 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
169CMQ150 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 80A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 80A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.5mA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-249AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-249AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
169CMQ150 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 169CMQ150-FT |
APT2X101D100J
Microsemi Corporation
APT2X31D120J
Microsemi Corporation
APT2X50DC60J
Microsemi Corporation
APT2X100DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X60D60J
Microsemi Corporation
APT2X101D30J
Microsemi Corporation
APT2X61DQ100J
Microsemi Corporation
APT2X30D100J
Microsemi Corporation
APT2X30DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X31D20J
Microsemi Corporation
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel