maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / 163CMQ100
Référence fabricant | 163CMQ100 |
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Numéro de pièce future | FT-163CMQ100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
163CMQ100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 980mV @ 80A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.5mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-249AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-249AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
163CMQ100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 163CMQ100-FT |
APT2X61DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X151DL60J
Microsemi Corporation
APT2X101D120J
Microsemi Corporation
APT2X60DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X61D20J
Microsemi Corporation
APT2X60D120J
Microsemi Corporation
APT2X61D120J
Microsemi Corporation
APT2X31D100J
Microsemi Corporation
APT2X101D100J
Microsemi Corporation
APT2X31D120J
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
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EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
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EP1S30F780C5N
Intel